- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362819 > IXDN75N120A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXDN75N120A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 120A條一（c）|的SOT - 227B章 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 119K |
| 代理商： | IXDN75N120A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IXDP20N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXDP35N60B | 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXDP610 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610 |
| IXDP610PC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
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