參數(shù)資料
型號： IXDH35N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT with optional Diode
中文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： IXDH35N60BD1
2000 IXYS All rights reserved
2 - 4
IXDP 35N60 B
IXDH 35N60 B
IXDH 35N60 BD1
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
C
ies
C
oes
C
res
1600
150
90
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
I
C
= 35 A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 480 V
120
nC
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
30
45
320
70
1.6
0.8
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
R
thJC
R
thCH
R
thCH
0.5 K/W
TO 247 Package with heatsink compound
TO 220 Package with heatsink compound
0.25
0.5
K/W
K/W
Inductive load, T
J
= 125°C
I
C
= 35 A, V
= ±15 V,
V
CE
= 300 V, R
G
= 10
Reverse Diode (FRED)
[D1 version only]
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Conditions
typ.
max.
V
F
I
F
= 35 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 35 A, V
GE
= 0 V, T
J
= 125°C
2.1
1.6
2.4
V
V
I
F
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
45
25
A
A
I
RM
t
rr
I
F
= 15 A, -di
F
/dt = 400 A/μs, V
R
= 300 V
V
GE
= 0 V, T
J
= 125°C
13
90
A
ns
t
rr
I
F
= 1 A, -di
F
/dt = 100 A/μs, V
R
= 30 V, V
GE
= 0 V
40
ns
R
thJC
1.6 K/W
TO-220 AB Outline
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.73
9.91
3.54
5.85
2.54
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
1.14
0.35
2.29
Inches
Min.
0.500
0.580
0.390
0.139
0.230
0.100
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.045
0.014
0.090
Max.
13.97
16.00
10.66
4.08
6.85
3.18
1.65
5.84
1.01
BSC
4.82
1.39
0.56
2.79
Max.
0.550
0.630
0.420
0.161
0.270
0.125
0.065
0.230
0.040
BSC
0.190
0.055
0.022
0.110
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
P
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
Q
R
S
.216
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXDP35N60B IGBT with optional Diode
IXDI409YI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDN409CI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDN409PI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDN409SI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXDI402SI-16 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
IXDI402SIA 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 Amps 40V 3 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDI402SIA-16 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
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