參數(shù)資料
型號: IXDH20N120D1
廠商: IXYS CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: High Voltage IGBT with optional Diode
中文描述: 38 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝: TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 74K
代理商: IXDH20N120D1
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
0
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200
300
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0
5
10
15
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0
100
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35
A
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0.5
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V
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5
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15
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30
A
40
13V
11V
T
J
= 25
°
C
V
GE
=17V
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 600V
I
C
= 20A
15V
5
6
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0
5
10
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20
25
30
35
A
40
13V
11V
V
GE
=17V
15V
V
CE
= 20V
T
J
= 25
°
C
9V
9V
V
CE
V
I
C
V
CE
I
C
V
V
V
V
GE
V
F
I
C
I
F
nC
Q
G
-di/dt
V
GE
A
I
RM
t
rr
ns
A/
m
s
IXDH20N120D1
T
J
= 125
°
C
V
R
= 600V
I
F
= 20A
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
RM
t
rr
Fig. 1
Typ. output characteristics
Fig. 2
Typ. output characteristics
Fig. 3
Typ. transfer characteristics
Fig. 4
Typ. forward characteristics of
free wheeling diode (D1 version only)
Fig. 5
Typ. turn on gate charge
Fig. 6
Typ. turn off characteristics of
free wheeling diode (D1 version only)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IXDH30N120AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD
IXDH30N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDH35N60B 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDH35N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube