參數(shù)資料
型號(hào)： IXDH20N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with optional Diode
中文描述： 38 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 74K
代理商： IXDH20N120
2000 IXYS All rights reserved
2 - 4
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
C
ies
C
oes
C
res
1000
150
70
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
I
C
= 20 A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
70
nC
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
100
75
500
70
3.1
2.4
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
R
thJC
R
thCH
0.63 K/W
Package with heatsink compound
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 125°C
I
C
= 20 A, V
= ±15 V,
V
CE
= 600 V, R
G
= 82
Reverse Diode (FRED)
[D1 version only]
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Conditions
typ.
max.
V
F
I
F
= 20 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 20 A, V
GE
= 0 V, T
J
= 125°C
2.6
2.1
2.8
V
V
I
F
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
33
20
A
A
I
RM
t
rr
I
F
= 20 A, -di
F
/dt = 400 A/μs, V
R
= 600 V
V
GE
= 0 V, T
J
= 125°C
15
A
200
ns
t
rr
I
F
= 1 A, -di
F
/dt = 100 A/μs, V
R
= 30 V, V
GE
= 0 V
40
ns
R
thJC
1.6 K/W
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
P
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
Q
R
S
.216
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXDH20N120D1 High Voltage IGBT with optional Diode
IXDH35N60B IGBT with optional Diode
IXDH35N60BD1 IGBT with optional Diode
IXDP35N60B IGBT with optional Diode
IXDI409YI 9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
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參數(shù)描述
IXDH20N120AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD
IXDH20N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDH30N120 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDH30N120AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD
IXDH30N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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