參數(shù)資料
型號(hào)： ISL9R1560G2
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 8A, 600V Stealth Diode(8A，600V Stealth二極管)
中文描述： 15 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 58K
代理商： ISL9R1560G2
2
Electrical Specifications
T
C
= 25
o
C, Unless Otherwise Specified
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNITS
V
F
I
F
= 15A
I
F
= 15A, T
C
= 125
o
C
-
1.8
2.2
V
-
1.5
1.9
V
I
R
V
R
= 600V
V
R
= 600V, T
C
= 125
o
C
-
-
100
μ
A
-
-
1.0
mA
t
rr
I
F
= 1A, dI
F
/dt = 100A/
μ
s, V
R
= 30V
-
25
30
ns
I
F
= 15A, dI
F
/dt = 100A/
μ
s, V
R
= 30V
I
F
= 15A, dI
F
/dt = 200A/
μ
s, V
R
= 390V, T
C
= 25
o
C
-
29
35
ns
t
rr
-
29.4
-
ns
I
RRM
-
3.5
-
A
Q
RR
-
57
-
nC
t
rr
I
F
= 15A, dI
F
/dt = 200A/
μ
s, V
R
= 390V, T
C
= 125
o
C
-
90
-
ns
S
-
2.0
-
I
RRM
-
5.0
-
A
Q
RR
-
275
-
nC
t
rr
I
F
= 15A, dI
F
/dt = 800A/
μ
s, V
R
= 390V, T
C
= 125
o
C
-
52
-
ns
S
-
1.36
-
I
RRM
-
13.5
-
A
Q
RR
-
400
-
nC
dI
M
/dt
-
800
-
A/
μ
s
C
J
V
R
= 10V, I
F
= 0A
-
62
-
pF
R
θ
JC
-
-
1.0
o
C/W
DEFINITIONS
D = Duty cycle
V
F
= Instantaneous forward voltage (pw = 300
μ
s, D = 2%).
I
R
= Instantaneous reverse current.
t
rr
= Reverse recovery time (t
a
+ t
b
).
S = Softness factor (t
b
/ t
a
).
I
RRM
= Maximum reverse recovery current.
Q
RR
= Reverse recovery charge.
dI
M
/dt = Maximum di/dt during t
b
.
C
J
= Junction Capacitance.
R
θ
JC
= Thermal resistance junction to case.
pw = pulse width.
Typical Performance Curves
FIGURE 1. FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE
FIGURE 2. REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
,
30
25
20
00.5
1.0
1.25
2.0
2.75
2.25
15
10
5
0.75
1.5
1.75
2.5
25
o
C
175
o
C
150
o
C
100
o
C
125
o
C
10
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
R
,
μ
A
100
100
200
500
600
400
1000
1
0.1
175
o
C
25
o
C
100
o
C
300
4000
75
o
C
150
o
C
125
o
C
ISL9R1560G2
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PDF描述
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