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參數(shù)資料
| 型號： | ISL9007 |
| 廠商： | Intersil Corporation |
| 英文描述： | Octal D-Type Edge-Triggered Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 高電流LDO低智商和高電源抑制比 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | ISL9007 |
7
FN9218.0
October 13, 2005
capacitor value above 4.7
μ
F is not recommended as LDO
performance improvement is minimal.
Soft-start circuitry integrated into each LDO limits the initial
ramp-up rate to about 30
μ
s/V to minimize current surge.
The ISL9007 provides short-circuit protection by limiting the
output current to about 500mA.
The LDO uses an independently trimmed 1V reference as its
input. An internal resistor divider drops the LDO output
voltage down to 1V. This is compared to the 1V reference for
regulation. The resistor division ratio is programmed in the
factory to one of the following output voltages: 3.3, 2.85V,
2.8V, and 2.5V.
Overheat Detection
The bandgap outputs a proportional-to-temperature current
that is indicative of the temperature of the silicon. This
current is compared with references to determine if the
device is in danger of damage due to overheating. When
the die temperature reaches about 145°C, the LDO
momentarily shuts down until the die cools sufficiently. In the
overheat condition, if the LDO sources more than 50mA it
will be shut off. Once the die temperature falls back below
about 110°C, the disabled LDO is re-enabled and soft-start
automatically takes place.
ISL9007
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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