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參數(shù)資料
| 型號： | ISL54503IHZ-T |
| 廠商： | Intersil |
| 文件頁數(shù)： | 13/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SWITCH SPDT SGL SOT23-6 |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | Patient Monitoring and Diagnostic Equipment Solutions |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 功能： | 開關(guān) |
| 電路： | 1 x SPDT |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 2.5 歐姆 |
| 電壓電源： | 單電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 電流 - 電源： | 28nA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-23-6 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | ISL54503IHZ-TDKR |
9
FN6551.2
October 26, 2009
An OFF switch behaves like a capacitor and passes
higher frequencies with less attenuation, resulting in
signal feed-through from a switch’s input to output.
Off-isolation is the resistance of this signal
feed-through. Figure 18 details the high off-isolation
provided by the ISL54503. At 1MHz, off-isolation is
about 70dB in 50Ω systems, decreasing approximately
20dB per decade as frequency increases. Higher load
impedances decrease off-isolation due to the voltage
divider action of the switch OFF impedance and the
load impedance.
Leakage Considerations
ESD protection diodes are internally connected
between each analog-signal pin and both V+ and GND.
One of these diodes conducts if any analog signal
exceeds V+ or GND.
Virtually all the analog leakage current comes from the
ESD diodes to V+ or GND. Although the ESD diodes on
a given signal pin are identical and therefore fairly well
balanced, they are reverse biased differently. Each is
biased by either V+ or GND and the analog signal. This
means their leakages will vary as the signal varies. The
difference in the two diode leakages to the V+ and
GND pins constitutes the analog-signal-path leakage
current. All analog leakage current flows between each
pin and one of the supply terminals, not to the other
switch can show leakage currents of the same or
opposite polarity. There is no connection between the
analog signal paths and V+ or GND.
ISL54503
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