FN6549.2 November 9, 2009 Die Characteristics SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP): GND TRANSISTOR COUNT: PROCESS: Submicron CMOS FIGURE 18. OFF-IS" />
參數(shù)資料
型號： ISL54500IHZ-T
廠商： Intersil
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大小： 0K
描述： IC SWITCH SPDT SGL SOT23-6
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Patient Monitoring and Diagnostic Equipment Solutions
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
功能： 開關(guān)
電路： 1 x SPDT
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 5 歐姆
電壓電源： 單電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
電流 - 電源： 20nA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： SOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝： SOT-23-6
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： ISL54500IHZ-TDKR
11
FN6549.2
November 9, 2009
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
GND
TRANSISTOR COUNT:
PROCESS:
Submicron CMOS
FIGURE 18. OFF-ISOLATION
FIGURE 19. CHARGE INJECTION vs SWITCH VOLTAGE
Typical Performance Curves T
A = +25°C, Unless Otherwise Specified (Continued)
-120
-110
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
1k
10k
100k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
(dB)
V+ = 1.8V TO 5.5V
VCOM (V)
-6
-1
4
9
14
19
0.00.5 1.01.5 2.02.5 3.0 3.5 4.04.5 5.0
V+ = 3V
V+ = 1.8V
V+ = 5V
Q
(pC
)
ISL54500
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PDF描述
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