參數(shù)資料
型號(hào)： IS65WV25616BLL-55TLA1
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
中文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大?。?/td> 109K
代理商： IS65WV25616BLL-55TLA1
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00B
06/20/06
IS65WV25616ALL, IS65WV25616BLL
ISSI
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
55 ns
70 ns
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS1
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCS1
t
LZCS1
t
BA
t
HZB
t
LZB
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 0.9V, input pulse levels of 0.4 to 1.4V
and output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
55
—
70
—
ns
Address Access Time
—
55
—
70
ns
Output Hold Time
10
—
10
—
ns
CS1
Access Time
—
55
—
70
ns
OE
Access Time
—
25
—
35
ns
OE
to High-Z Output
—
20
—
25
ns
OE
to Low-Z Output
5
—
5
—
ns
CS1
to High-Z Output
0
20
0
25
ns
CS1
to Low-Z Output
10
—
10
—
ns
LB
,
UB
Access Time
—
55
—
70
ns
LB
,
UB
to High-Z Output
0
20
0
25
ns
LB
,
UB
to Low-Z Output
0
—
0
—
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IS75V16F128GS32-7065BI 3.0 Volt Multi-Chip Package (MCP) 128 Mbit Simultaneous Operation Flash Memory and 32 Mbit Pseudo Static RAM
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參數(shù)描述
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IS65WV25616DBLL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
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