參數(shù)資料
型號： IS65C1024AL
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 128K的× 8低功耗CMOS靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大小： 75K
代理商： IS65C1024AL
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
01/24/05
7
ISSI
IS62C1024AL
IS65C1024AL
WRITE CYCLE NO. 2 (
CE1
, CE2 Controlled)
(1,2)
Notes:
1. The internal write time is defined by the overlap of
CE1
LOW, CE2 HIGH and
WE
LOW. All signals must be in valid states to
initiate a Write, but any one can go inactive to terminate the Write. The Data Input Setup and Hold timing are referenced to the
rising or falling edge of the signal that terminates the Write.
2. I/O will assume the High-Z state if
OE
= V
IH
.
AC WAVEFORMS
WRITE CYCLE NO. 1 (
WE
Controlled)
(1,2)
DATA-IN VALID
DATA UNDEFINED
t
WC
t
SCE1
t
SCE2
t
AW
t
HA
t
PWE
(4)
t
HZWE
HIGH-Z
t
LZWE
t
SA
t
SD
t
HD
ADDRESS
CE1
CE2
WE
DOUT
DIN
HIGH-Z
DATA UNDEFINED
DATA-IN VALID
t
WC
t
SCE1
t
SA
t
HA
t
SCE2
t
PWE
(4)
t
AW
t
HZWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
ADDRESS
DIN
CE1
CE2
WE
DOUT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS65C1024AL-45QA3 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS65C1024AL-45TA3 128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS65C256AL 32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS65C256AL-25TA3 32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS65C256AL-25TLA3 32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IS65C1024AL-45TA3 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
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