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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS62WV6416ALL |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 64K的× 16低電壓，超低功耗的CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | IS62WV6416ALL |
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4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
06/03/05
IS62WV6416ALL, IS62WV6416BLL
ISSI
CAPACITANCE
(1)
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
8
pF
C
OUT
Input/Output Capacitance
V
OUT
= 0V
10
pF
Note:
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Over Operating Range)
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
DD
Min.
Max.
Unit
V
OH
Output HIGH Voltage
I
OH
= -0.1 mA
I
OH
= -1 mA
1.7-2.2V
2.5-3.6V
1.4
2.2
—
—
V
V
V
OL
Output LOW Voltage
I
OL
= 0.1 mA
I
OL
= 2.1 mA
1.7-2.2V
2.5-3.6V
—
—
0.2
0.4
V
V
V
IH
Input HIGH Voltage
1.7-2.2V
2.5-3.6V
1.4
2.2
V
DD
+ 0.2
V
DD
+ 0.3
V
V
V
IL(1)
Input LOW Voltage
1.7-2.2V
2.5-3.6V
–0.2
–0.2
0.4
0.6
V
V
I
LI
Input Leakage
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
, Outputs Disabled
–1
1
μA
I
LO
Output Leakage
–1
1
μA
Notes:
1. V
IL
(min.) = –1.0V for pulse width less than 10 ns.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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