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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS62WV51216ALL-70BI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 7.20 X 8.70 MM, MINI, BGA-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/16頁(yè) |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | IS62WV51216ALL-70BI |
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6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
02/24/05
IS62WV51216ALL, IS62WV51216BLL
ISSI
IS62WV51216ALL, POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Max.
70
20
25
4
4
Unit
I
CC
V
DD
Dynamic Operating
Supply Current
Operating Supply
Current
V
DD
= Max.,
I
OUT
= 0 mA, f = f
MAX
V
DD
= Max.,
CS1
= 0.2V
WE
= V
DD
– 0.2V
CS2 = V
DD
– 0.2V, f = 1
MHZ
V
DD
= Max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
CS1
= V
IH
, CS2 = V
IL
,
f = 1 MH
Z
Com.
Ind.
Com.
Ind.
mA
I
CC
1
mA
I
SB
1
TTL Standby Current
(TTL Inputs)
Com.
Ind.
0.3
0.3
mA
OR
ULB Control
V
DD
= Max., V
IN
= V
IH
or V
IL
CS1
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
V
DD
= Max.,
CS1
≥
V
DD
– 0.2V,
CS2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or
V
IN
≤
0.2V, f = 0
I
SB
2
CMOS Standby
Current (CMOS Inputs)
Com.
Ind.
typ.
(1)
15
21
3
μA
OR
ULB Control
V
DD
= Max.,
CS1
= V
IL
, CS2=V
IH
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or V
IN
≤
0.2V, f = 0;
UB
/
LB
= V
DD
– 0.2V
Note:
.
1. Typical values are measured at V
DD
= 1.8V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62WV51216ALL-70TI | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV51216ALL-70XI | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV51216BLL | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV51216BLL-45B | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV51216BLL-55BI | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS62WV51216ALL-70BI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 512Kx16 70ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV51216ALL-70BLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M (512Kx16) 70ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV51216ALL-70BLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M (512Kx16) 70ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV51216ALL-70TI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v~2.2v,44 Pin TSOP II RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV51216ALL-70TI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v~2.2v,44 Pin TSOP II RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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