參數(shù)資料
型號： IS61NLP25636
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 256K x 32, 256K x 36 and 512K x 18 PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM
中文描述： 256K × 32，256K × 36和管道為512k × 18編號WAIT狀態(tài)總線的SRAM
文件頁數(shù)： 5/20頁
文件大小： 157K
代理商： IS61NLP25636
Integrated Silicon Solution, Inc.
—
1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00E
04/26/01
5
IS61NP25632
IS61NLP25632
IS61NP25636
IS61NLP25636
IS61NP51218
IS61NLP51218
ISSI
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
VCCQ
NC
NC
DQ9
NC
VCCQ
NC
DQ12
VCCQ
NC
DQ14
VCCQ
DQ16
NC
NC
NC
VCCQ
A6
CE2
A7
NC
DQ10
NC
DQ11
NC
VCC
DQ13
NC
DQ15
NC
DQP2
A5
A10
NC
A4
A3
A2
GND
GND
GND
BWb
GND
NC
GND
NC
GND
GND
GND
MODE
A11
NC
NC
ADV
VCC
NC
CE
OE
A17
WE
VCC
CLK
NC
CKE
A1
A0
VCC
NC
NC
A8
A9
A12
GND
GND
GND
NC
GND
NC
GND
BWa
GND
GND
GND
VCC
A14
NC
A16
CE2
A15
DQP1
NC
DQ7
NC
DQ5
VCC
NC
DQ3
NC
DQ2
NC
A13
A18
NC
VCCQ
NC
NC
NC
DQ8
VCCQ
DQ6
NC
VCCQ
DQ4
NC
VCCQ
NC
DQ1
NC
ZZ
VCCQ
1
2
3
4
5
6
7
PIN CONFIGURATION
119-pin PBGA (Top View) and 100-Pin TQFP
PIN DESCRIPTIONS
A0, A1
Synchronous Address Inputs. These
pins must tied to the two LSBs of the
address bus.
A2
-
A18
Synchronous Address Inputs
CLK
Synchronous Clock
ADV
Synchronous Burst Address Advance
BWa
-
BWb
Synchronous Byte Write Enable
WE
Write Enable
CKE
Clock Enable
CE
, CE2,
CE2
Synchronous Chip Enable
OE
Output Enable
DQ1-DQ16
Synchronous Data Input/Output
MODE
Burst Sequence Mode Selection
V
CC
+3.3V Power Supply
GND
Ground
V
CCQ
Isolated Output Buffer Supply: +3.3V/2.5V
ZZ
Snooze Enable
DQP1-DQP2
Parity Data I/O DQP1 is parity for
DQ1-8; DQP2 is parity for DQ9-16
512K x 18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
NC
NC
VCCQ
GND
NC
NC
DQ9
DQ10
GND
VCCQ
DQ11
DQ12
VCC
VCC
VCC
GND
DQ13
DQ14
VCCQ
GND
DQ15
DQ16
DQP2
NC
GND
VCCQ
NC
NC
NC
A10
NC
NC
VCCQ
GND
NC
DQP1
DQ8
DQ7
GND
VCCQ
DQ6
DQ5
GND
VCC
VCC
ZZ
DQ4
DQ3
VCCQ
GND
DQ2
DQ1
NC
NC
GND
VCCQ
NC
NC
NC
M
A
A
A
A
A
A
N
N
G
V
N
N
A
A
A
A
A
A
A
A
A
C
C
N
N
B
B
C
V
G
C
W
C
O
A
N
A
A
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61NP25632 256K x 32, 256K x 36 and 512K x 18 PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM
IS61NP25632-133B 256K x 32, 256K x 36 and 512K x 18 PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM
IS61NP25632-133BI 256K x 32, 256K x 36 and 512K x 18 PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM
IS61NP51218-5TQ 256K x 32, 256K x 36 and 512K x 18 PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM
IS61S6432-117TQ Quadruple 2-Input Positive-OR Gates 14-SO -40 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IS61NLP25636A-200B2I-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NLP25636A-200B2LI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61NLP25636A-200B2LI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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