參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LV256AL-10T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
中文描述： 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28
封裝： 8 X 13.40 MM, MO-183, TSOP1-28
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： IS61LV256AL-10T
IS61LV256AL
ISSI
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
03/17/06
CAPACITANCE
(1,2)
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
5
pF
Notes:
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
2. Test conditions: T
A
= 25°C, f = 1 MHz, V
DD
= 3.3V.
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-10 ns
Min.
Sym.
Parameter
Test Conditions
Max.
Unit
I
CC
1
V
DD
Operating
Supply Current
V
DD
= Max.,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA, f = 1 MHz
Com.
Ind.
—
—
20
25
mA
I
CC
2
V
DD
Dynamic Operating
Supply Current
V
DD
= Max.,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA, f = f
MAX
Com.
Ind.
typ.
(2)
—
—
30
35
mA
20
I
SB
1
TTL Standby Current
(TTL Inputs)
V
DD
= Max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
DD
= Max.,
CE
≤
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or
V
IN
≤
0.2V, f = 0
Com.
Ind.
—
—
1
1
mA
I
SB
2
CMOS Standby
Current (CMOS Inputs)
Com.
Ind.
typ.
(2)
—
—
40
50
μA
2
Notes:
1. At f = f
MAX
, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
2. Typical values are measured at V
DD
= 3.3V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LV256 32K x 8 Low Voltage High-Speed CMOS Static RAM(32K x 8低壓高速CMOS靜態(tài)RAM)
IS61LV3216 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV51216 512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV51216-10MLI 512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV51216-8TL 512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61LV256AL-10TI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV256AL-10TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV256AL-10TLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K 32Kx8 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV256AL-10TLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K 32Kx8 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV256L-15J 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*