參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LV256AL-10JL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
中文描述： 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28
封裝： 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 105K
代理商： IS61LV256AL-10JL
IS61LV256AL
ISSI
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
03/17/06
DATA VALID
READ1.eps
PREVIOUS DATA VALID
t
AA
t
OHA
t
OHA
t
RC
D
OUT
ADDRESS
t
RC
t
OHA
t
AA
t
DOE
t
LZOE
t
ACE
t
LZCE
t
HZOE
HIGH-Z
DATA VALID
CE_RD2.eps
ADDRESS
OE
CE
D
OUT
t
HZCE
READ CYCLE NO. 2
(1,3)
Notes:
1.
WE
is HIGH for a Read Cycle.
2. The device is continuously selected.
OE
,
CE
= V
IL
.
3. Address is valid prior to or coincident with
CE
LOW transitions.
AC WAVEFORMS
READ CYCLE NO. 1
(1,2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LV256AL-10JLI 32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV256AL-10T 32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV256 32K x 8 Low Voltage High-Speed CMOS Static RAM(32K x 8低壓高速CMOS靜態(tài)RAM)
IS61LV3216 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV51216 512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61LV256AL-10JLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K 32Kx8 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV256AL-10JLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256K 32Kx8 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV256AL-10T 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV256AL-10TI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV256AL-10TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
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