參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LV25616AL-12T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
中文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44
封裝： PLASTIC, TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大小： 461K
代理商： IS61LV25616AL-12T
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LZWE
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LV25616AL-12TI 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV5128 512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV5128-8K 512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV5128-8KI 512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV5128-8T 512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61LV25616AL12TI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: 制造商:ISSIIN 功能描述:
IS61LV25616AL-12TI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb 256Kx16 12ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV25616AL-12TI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb 256Kx16 12ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LV25616L 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV25616L-10LQI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
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