參數(shù)資料
型號： IS61C3216AL-12TLI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 32K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述： 32K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 12/16頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： IS61C3216AL-12TLI
12
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
09/26/05
ISSI
IS61C3216AL
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
for Data Retention
See Data Retention Waveform
V
DD
= 2.0V,
CE
≥
V
DD
– 0.2V
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or V
IN
≤
V
SS
+ 0.2V
2.0
5.5
V
I
DR
Data Retention Current
Com.
Ind.
typ.
(1)
—
—
—
—
200
350
400
μA
t
SDR
t
RDR
Data Retention Setup Time
See Data Retention Waveform
0
—
ns
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
ns
Note:
1. Typical Values are measured at V
DD
= 5V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
DATA RETENTION WAVEFORM (
CE
Controlled)
VDD
CE
≥
VDD
- 0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CE
GND
4.5V
2.2V
Data Retention Mode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61C3216B 32K x 16 High-Speed CMOS Static RAM(32K x 16 高速CMOS靜態(tài)RAM)
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IS61C632A 32K x 32 Synchronous Pipelined SRAM(32K x 32同步流水線靜態(tài)RAM)
IS61C6416-15TI 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C6416-20K 64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61C3216AL-12TLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512K 32Kx16 12ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61C3216B-10K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM
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IS61C3216B-12KI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM
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