- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377553 > IS45S32400B (Integrated Silicon Solution, Inc.) 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS45S32400B |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 4Meg × 32 128兆位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 10/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 642K |
| 代理商： | IS45S32400B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁當(dāng)前第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁
ISSI
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
07/10/06
IS45S32400B
Current State
Read with auto
Precharging
CS
H
RAS
×
CAS
×
WE
×
Address
×
Command
DESL
Action
Continue burst to end, Precharge
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
L
L
L
L
×
H
H
L
L
H
H
L
L
×
H
L
H
L
H
L
H
L
×
x
×
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
×
OC, BA
×
NOP
BST
READ/READA
WRIT/ WRITA
ACT
PRE/PALL
REF/SELF
MRS
DESL
Continue burst to end, Precharge
ILLEGAL
ILLEGAL
(11)
ILLEGAL
(11)
ILLEGAL
(3)
ILLEGAL
(11)
ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst to end, Write
recovering with auto precharge
Continue burst to end, Write
recovering with auto precharge
ILLEGAL
ILLEGAL
(11)
ILLEGAL
(11)
ILLEGAL
(3,11)
ILLEGAL
(3,11)
ILLEGAL
ILLEGAL
Nop, Enter idle after tRP
Nop, Enter idle after tRP
Nop, Enter idle after tRP
ILLEGAL
(3)
ILLEGAL
(3)
ILLEGAL
(3)
Nop Enter idle after tRP
ILLEGAL
ILLEGAL
Nop, Enter bank active after tRCD
Nop, Enter bank active after tRCD
Nop, Enter bank active after tRCD
ILLEGAL
(3)
ILLEGAL
(3)
ILLEGAL
(3,9)
ILLEGAL
(3)
ILLEGAL
ILLEGAL
Write with Auto
Precharge
L
H
H
H
×
NOP
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
L
L
L
L
×
H
H
H
H
L
L
L
L
×
H
H
H
H
L
L
L
L
H
L
L
H
H
L
L
×
H
H
L
L
H
H
L
L
×
H
H
L
L
H
H
L
L
L
H
L
H
L
H
L
×
H
L
H
L
H
L
H
L
×
H
L
H
L
H
L
H
L
×
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
×
OC, BA
×
×
×
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
×
OC, BA
×
×
×
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
×
OC, BA
BST
READ/READA
WRIT/ WRITA
ACT
PRE/PALL
REF/SELF
MRS
DESL
NOP
BST
READ/READA
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PALL
REF/SELF
MRS
DESL
NOP
BST
READ/READA
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PALL
REF/SELF
MRS
Precharging
Row Activating
FUNCTIONAL TRUTH TABLE Continued:
Note: H=V
IH
, L=V
IL
x= V
IH
or V
IL
, V = Valid Data, BA= Bank Address, CA+Column Address, RA=Row Address, OC= Op-Code
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS45S32400B-6BA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-6BLA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-6TA1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-6TAL1 | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-6TLA | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS45S32400B-6BA1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-6BLA1 | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 166MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS45S32400B-6BLA1-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M (4Mx32) 166MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS45S32400B-6TA1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS45S32400B-6TAL1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。