參數(shù)資料
型號(hào): IS42S83200B-7TL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述: 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù): 62/62頁(yè)
文件大?。?/td> 646K
代理商: IS42S83200B-7TL
PACKAGING INFORMATION
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. C
01/28/02
1
Plastic TSOP 54–Pin, 86-Pin
Package Code: T (Type II)
Plastic TSOP (T - Type II)
Millimeters
Min
Max
Inches
Min
Symbol
Ref. Std.
No. Leads (N)
Max
54
A
A1
A2
b
C
D
E1
E
e
L
L1
0.05
0.30
0.12
22.02 22.42
10.03 10.29
11.56 11.96
0.80 BSC
0.40
1.20
0.15
0.45
0.21
0.002
0.012
0.005
0.867
0.395
0.455
0.031 BSC
0.016
0.047
0.006
0.018
0.0083
0.8827
0.405
0.471
0.60
0.024
ZD 0.71 REF
α
D
SEATING PLANE
b
e
C
1
N/2
N/2+1
N
E1
A1
A
E
L
α
ZD
Notes:
1. Controlling dimension: millimieters,
unless otherwise specified.
2. BSC = Basic lead spacing between
centers.
3. Dimensions D and E1 do not include
mold flash protrusions and
should be
measured from the bottom of the
package
.
4. Formed leads shall be planar with
respect to one another within 0.004
inches at the seating plane.
Plastic TSOP (T - Type II)
Millimeters
Min
Max
Inches
Min
Symbol
Ref. Std.
No. Leads (N)
Max
86
A
A1
A2
b
C
D
E1
E
e
L
L1
0.05
0.95
0.17
0.12
22.02 22.42
10.16 BSC
11.56 11.96
0.50 BSC
0.40
0.80 REF
1.20
0.15
1.05
0.27
0.21
0.002
0.037
0.007
0.005
0.867
0.400 BSC
0.455
0.020 BSC
0.016
0.031 REF
0.047
0.006
0.041
0.011
0.008
0.8827
0.471
0.60
0.024
ZD 0.61 REF 0.024 BSC
α
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S83200B-7TLI 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160B 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160B-6T 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160B-6TL 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160B-7B 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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參數(shù)描述
IS42S83200B-7TLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 143MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200B-7TLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 143MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200B-7TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 143MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200B-7T-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 143MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200C 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM