- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377551 > IS42S81600B-7TLI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS42S81600B-7TLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 55/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | IS42S81600B-7TLI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁當前第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
05/01/06
55
ISSI
IS42S81600B, IS42S16800B
SINGLE WRITE - WITHOUT AUTO PRECHARGE
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
DQM/DQML
DQMH
A0-A9, A11
A10
BA0, BA1
DQ
t
CMS
t
CMH
t
AS
t
AH
t
AS
t
AH
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
RCD
t
RAS
t
RC
t
CH
t
CL
t
CK
t
CMS
t
CMH
t
CKS
t
CKH
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
NOP
PRECHARGE
NOP
ACTIVE
NOP
t
DPL
(3)
t
RP
ROW
ROW
ROW
BANK
D
IN
m
COLUMN m
(2)
ROW
BANK
BANK
BANK
ALL BANKS
SINGLE BANK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DISABLE AUTO PRECHARGE
Notes:
1) Burst Length = 1
2) X16: A9 and A11 = "Don't Care"
X8: A11 = "Don't Care"
3) t
RAS
must not be violated.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32200B | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200B-6T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200B-6TI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200B-6TL | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200B-6TLI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S81600B-7TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600D | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600D-6T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。