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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S81600B-7TI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 49/60頁 |
| 文件大小： | 585K |
| 代理商： | IS42S81600B-7TI |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
05/01/06
49
ISSI
IS42S81600B, IS42S16800B
DON'T CARE
CLK
COMMAND
BANK n
BANK m
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
D
IN
a
D
IN
a+1
D
OUT
b
D
OUT
b+1
BANK n,
COL a
BANK m,
COL b
CAS Latency - 3 (BANK m)
t
RP - BANK n
t
RP - BANK m
Precharge
WRITE - AP
BANK n
READ - AP
BANK m
Page Active
WRITE with Burst of 4
Interrupt Burst, Write-Back
t
DPL
- BANK n
Precharge
Page Active
READ with Burst of 4
Internal States
DON'T CARE
CLK
COMMAND
BANK n
BANK m
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
BANK n,
COL a
BANK m,
COL b
t
RP - BANK n
DPL - BANK m
Write-Back
WRITE - AP
BANK n
WRITE - AP
BANK m
Page Active
WRITE with Burst of 4
Interrupt Burst, Write-Back
t
DPL
- BANK n
Precharge
Page Active
WRITE with Burst of 4
Internal States
D
IN
a
D
IN
a+1
D
IN
a+2
D
IN
b
D
IN
b+1
D
IN
b+2
D
IN
b+3
WRITE with Auto Precharge
3. Interrupted by a READ (with or without auto precharge):
A READ to bank m will interrupt a WRITE on bank n when
registered, with the data-out appearing
(CAS atency)
ater.
The PRECHARGE to bank n will begin after t
DPL
is met,
where t
DPL
begins when the READ to bank m is registered.
The ast valid
WRITE
to bank n will be data-in registered one
clock prior to the READ to bank m.
4. Interrupted by a WRITE (with or without auto precharge):
A
WRITE
to bank m will interrupt a
WRITE
on bank n when
registered. The PRECHARGE to bank n will begin after
t
DPL
is met, where t
DPL
begins when the WRITE to bank m
is registered. The last valid data WRITE to bank n will be
data registered one clock prior to a WRITE to bank m.
WRITE With Auto Precharge interrupted by a READ
WRITE With Auto Precharge interrupted by a WRITE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S81600B-7TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7TLI | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32200B | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200B-6T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200B-6TI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S81600B-7TI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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