型號: | IS42S81600B-7T |
廠商: | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
中文描述: | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
封裝: | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
文件頁數(shù): | 3/60頁 |
文件大?。?/td> | 585K |
代理商: | IS42S81600B-7T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IS42S81600B-7TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
IS42S81600B-7TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
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IS42S32200B | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IS42S81600B-7TI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
IS42S81600B-7TL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
IS42S81600B-7TLI | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
IS42S81600B-7TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |