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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32800B-7BI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, MO-207, BGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 23/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 939K |
| 代理商： | IS42S32800B-7BI |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
23
ISSI
IS42S32800B
(Notes Continued)
6. A.C. Test Conditions
LVTTL Interface
Reference Level of Output Signals
Output Load
Input Signal Levels
Transition Time (Rise and Fall)of Input Signals
Reference Level of Input Signals
1.4V /1.4V
Reference to the Under Output Load
2.4V /0.4V
1ns
1.4V
1.4V
50
Output
30pF
Z0=
50
LVTTL A.C. Test Load
7.
Transition times are measured between VIH and VIL.Transition(rise and fall)of input signals are in a fixed slope
(1 ns).
t
HZ
defines the time in which the outputs achieve the open circuit condition and are not at reference levels.
If clock rising time is longer than 1 ns,(t
R
/2 -0.5)ns should be added to the parameter.
10. Assumed input rise and fall time t
T
(t
R
&t
F
)=1 ns
If t
R
or t
F
is longer than 1 ns,transient time compensation should be considered,i.e.,[(tr +tf)/2 -1 ]ns
should be added to the parameter.
11. Power up Sequence
Power up must be performed in the following sequence.
1) Power must be applied to V
DD
and V
DDQ
(simultaneously)when all input signals are held “NOP”state
and both CKE =”H”and DQM =”H.”The CLK signals must be started at the same
time.
2) After power-up,a pause of 200
μ
seconds minimum is required.Then,it is recom
mended that DQM is held “HIGH”(V
DD
levels)to ensure DQ output is in high
impedance.
3) All banks must be precharged.
4) Mode Register Set command must be asserted to initialize the Mode register.
5) A minimum of 2 Auto-Refresh dummy cycles must be required to stabilize the internal circuitry of the device.
8.
9.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-7BL | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7BLI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7T | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7TI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7TL | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-7BI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7BL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7BLI | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7BLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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