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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32800B-6TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 28/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 939K |
| 代理商： | IS42S32800B-6TL |
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28
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
ISSI
IS42S32800B
Figure 5.Self Refresh Entry &Exit Cycle
Note:To Enter SelfRefresh Mode
1. CS#,RAS#&CAS#with CKE should be low at the same clock cycle.
2. After 1 clock cycle,all the inputs including the system clock can be don ’t care except for CKE.
3. The device remains in SelfRefresh mode as long as CKE stays “l(fā)ow”.
Once the device enters SelfRefresh mode,minimum tRAS is required before exit from SelfRefresh.
To Exit SelfRefresh Mode
1. System clock restart and be stable before returning CKE high.
2. Enable CKE and CKE should be set high for minimum time of tSRX.
3. CS#starts from high.
4. Minimum tRC is required after CKE going high to complete SelfRefresh exit.
5. 2048 cycles of burst AutoRefresh is required before SelfRefresh entry and after SelfRefresh exit if the system uses burst refresh.
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
BS0,1
A0-A9
WE#
DQM
DQ
*Note 1
*Note 2
t
IS
*Note 3
*Note 4
t
RC(min)
*Note 7
*Note 5
*Note 6
*Note 8
*Note 8
Hi-Z
Hi-Z
SelfRefresh Enter
SelfRefresh Exit
Auto Refresh
SRX
t
PDE
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T9
T8
T12
T11
T10
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T18
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-6TLI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IS42S32800B-6TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (8Mx32) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-6T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7B | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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