參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S32800B-6T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86
封裝： 0.400 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86
文件頁數(shù)： 20/62頁
文件大小： 939K
代理商： IS42S32800B-6T
20
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
ISSI
IS42S32800B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
Supply Voltage
Supply Voltage for DQ
High Level Input Voltage (all Inputs)
Low Level Input Voltage (all Inputs)
3.0
3.0
2.0
-1.2
3.3
3.3
—
—
3.6
3.6
V
V
V
V
V
DD
+ 1.2
+0.8
Notes:
1. All voltages are referenced to V
SS
=0V
2. V
IH
(max) for pulse width with
≤
3ns of duration
3. V
IL
(min) for pulse width with
≤
3ns of duration
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
(At T
A
= 0 ~ 70°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3 ± 0.3V, V
SS
= V
SSQ
= 0V , unless otherwise note
d
)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
C
IN
C
CLK
C
I
/
O
Input Capacitance, address & control pin
I
nput Capacitance, CLK pin
Data Input/Output Capacitance
1.5
1.5
3.0
3.0
3.0
5.5
pF
pF
pF
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
V
DDQ
V
I
V
O
I
O
P
D
T
OPT
Supply Voltage (with respect to V
SS
)
Supply Voltage for Output (with respect to V
SSQ
)
Input Voltage
(with respect to V
SS
)
Output Voltage
(with respect to V
SSQ
)
Short circuit output current
Power Dissipation (
T
A
= 25 °C)
Operating Temperature
Storage Temperature
–0.5 to +4.6
–0.5 to +4.6
–0.5 to V
DD
+0.5
–1.0 to V
DDQ
+0.5
50
1
0 to +70
-40 to +85
–65 to +150
V
V
V
V
mA
W
°C
Com.
Ind.
T
STG
°C
Notes:
1. Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause permanent damage. The device is not meant
to be operated under conditions outside the limits described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute
Maximum Rating conditions for extended periods may affect device reliability.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S32800B-6TI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-6TL 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-6TLI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-7B 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-7BI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S32800B-6TI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-6TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32800B-6TLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32800B-6TLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (8Mx32) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32800B-6TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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