參數(shù)資料
型號(hào): IS42S32800B-6BL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90
封裝: 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, BGA-90
文件頁(yè)數(shù): 61/62頁(yè)
文件大小: 939K
代理商: IS42S32800B-6BL
PACKAGING INFORMATION
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. C
01/28/02
1
Plastic TSOP 54–Pin, 86-Pin
Package Code: T (Type II)
Plastic TSOP (T - Type II)
Millimeters
Min
Max
Inches
Min
Symbol
Ref. Std.
No. Leads (N)
Max
54
A
A1
A2
b
C
D
E1
E
e
L
L1
0.05
0.30
0.12
22.02 22.42
10.03 10.29
11.56 11.96
0.80 BSC
0.40
1.20
0.15
0.45
0.21
0.002
0.012
0.005
0.867
0.395
0.455
0.031 BSC
0.016
0.047
0.006
0.018
0.0083
0.8827
0.405
0.471
0.60
0.024
ZD 0.71 REF
α
D
SEATING PLANE
b
e
C
1
N/2
N/2+1
N
E1
A1
A
E
L
α
ZD
Notes:
1. Controlling dimension: millimieters,
unless otherwise specified.
2. BSC = Basic lead spacing between
centers.
3. Dimensions D and E1 do not include
mold flash protrusions and
should be
measured from the bottom of the
package
.
4. Formed leads shall be planar with
respect to one another within 0.004
inches at the seating plane.
Plastic TSOP (T - Type II)
Millimeters
Min
Max
Inches
Min
Symbol
Ref. Std.
No. Leads (N)
Max
86
A
A1
A2
b
C
D
E1
E
e
L
L1
0.05
0.95
0.17
0.12
22.02 22.42
10.16 BSC
11.56 11.96
0.50 BSC
0.40
0.80 REF
1.20
0.15
1.05
0.27
0.21
0.002
0.037
0.007
0.005
0.867
0.400 BSC
0.455
0.020 BSC
0.016
0.031 REF
0.047
0.006
0.041
0.011
0.008
0.8827
0.471
0.60
0.024
ZD 0.61 REF 0.024 BSC
α
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S32800B-6BLI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-6T 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-6TI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-6TL 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-6TLI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
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