參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S32200C1-7BL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90
封裝： 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-90
文件頁(yè)數(shù)： 36/59頁(yè)
文件大?。?/td> 623K
代理商： IS42S32200C1-7BL
IS42S32200C1
ISSI
36
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00E
05/18/06
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1,2,3)
-55
-6
-7
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Units
t
DPL3
Input Data To Precharge
Command Delay time
CAS
Latency = 3
2CLK
—
2CLK
—
2CLK
—
ns
t
DPL2
CAS
Latency = 2
2CLK
—
2CLK
—
2CLK
—
ns
t
DAL3
Input Data To Active / Refresh
Command Delay time (During Auto-Precharge)
CAS
Latency = 3
2CLK+t
RP
—
2CLK+t
RP
—
2CLK+t
RP
—
ns
t
DAL2
CAS
Latency = 2
2CLK+t
RP
—
2CLK+t
RP
—
2CLK+t
RP
—
ns
t
T
Transition Time
(2)
0.3
1.2
0.3
1.2
0.3
1.2
ns
t
WR
Write Recovery Time
1CLK+5.5ns
—
1CLK+6ns
—
1CLK+7ns
—
t
CK
t
XSR
Exit Self Refresh and Active Command
(6)
55
—
70
—
70
—
ns
t
RFC
Auto Refresh Period
60
—
60
—
70
—
ns
t
REF
Notes:
1. An initial pause of 100us is required after power up, followed by two AUTO REFRESH commands, before proper device
operation is ensured. (V
DD
and V
DDQ
must be powered up simultaneously. GND and GNDQ must be at same potential.) The
two AUTO REFRESH command wake-ups should be repeated anytime the t
REF
refresh requirement is exceeded.
2. Measured with t
T
= 0.5 ns.
3. The reference level is 1.5V when measuring input signal timing. Rise/fall times are measured between V
IH
(min.) and V
IL
(max.).
4. Access time is measured at 1.5V with the load shown in the figure below.
5. The time t
HZ
(max.) is defined as the time required for the output voltage to transition by ± 200 mV from V
OH
(min.) or V
OL
(max.)
when the output is in the high impedance state.
6. CLK must be toggled a minimum of two times during this period.
Refresh Cycle Time (4096)
—
64
—
64
—
64
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S32200C1-7BLI 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-7T 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-7TI 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-7TL 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-7TLI 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S32200C1-7BLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32200C1-7BLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32200C1-7BL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32200C1-7B-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32200C1-7T 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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