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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32200C1-55T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 34/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 623K |
| 代理商： | IS42S32200C1-55T |
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IS42S32200C1
ISSI
34
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00E
05/18/06
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Recommended Operation Conditions unless otherwise noted.)
Symbol
Parameter
Test Condition
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
, with pins other than
the tested pin at 0V
Output is disabled
0V
≤
V
OUT
≤
V
DD
I
OUT
= –2 mA
I
OUT
= +2 mA
Speed
Min.
Max.
Unit
I
IL
Input Leakage Current
—
–5
5
μA
I
OL
Output Leakage Current
—
–5
5
μA
V
OH
V
OL
Output High Voltage Level
Output Low Voltage Level
—
—
2.4
—
—
0.4
V
V
I
CC1
Operating Current
(1,2)
One Bank Operation,
Burst Length=1
t
RC
≥
t
RC
(min.)
I
OUT
= 0mA
CKE
≤
V
IL
(
MAX
)
CAS
latency = 3
-55
-6
-7
—
—
—
180
140
130
mA
mA
mA
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC2N
I
CC2NS
Precharge Standby Current
(In Power-Down Mode)
Precharge Standby Current
(In Non Power-Down Mode)
t
CK
= t
CK
(
MIN
)
t
CK
=
∞
t
CK
= t
CK
(
MIN
)
t
CK
=
∞
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-55
-6
-7
-55
-6
-7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
m
mA
CKE
≥
V
IH
(
MIN
)
45
30
35
7
8
6
7
70
60
65
250
185
180
225
185
160
1.5
Com.
Ind.
I
CC3P
Active Standby Current
CKE
≤
V
IL
(
MAX
)
t
CK
= t
CK
(
MIN
) Com.
Ind.
Com.
Ind.
I
CC3PS
(In Power-Down Mode)
t
CK
=
∞
I
CC3N
I
CC3NS
Active Standby Current
(In Non Power-Down Mode)
CKE
≥
V
IH
(
MIN
)
t
CK
= t
CK
(
MIN
)
t
CK
=
∞
Com.
Ind.
I
CC4
Operating Current
(In Burst Mode)
(1)
t
CK
= t
CK
(
MIN
)
I
OUT
= 0mA
CAS
latency = 3
I
CC5
Auto-Refresh Current
t
RC
= t
RC
(
MIN
)
CAS
latency = 3
I
CC6
Notes:
1. These are the values at the minimum cycle time. Since the currents are transient, these values decrease as the cycle time
increases. Also note that a bypass capacitor of at least 0.01 μF should be inserted between Vdd and GND for each memory
chip to suppress power supply voltage noise (voltage drops) due to these transient currents.
2. Icc
1
and Icc
4
depend on the output load. The maximum values for Icc
1
and Icc
4
are obtained with the output open state.
Self-Refresh Current
CKE
≤
0.2V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32200C1-55TL | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6BL | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6TI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6TL | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32200C1-55TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-55TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-55T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-6BL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6BLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin Mini-BGA |
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