參數(shù)資料
型號: IS42S16800B
廠商: Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述: 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述: 16Meg × 8,8Meg x16 128兆位同步DRAM
文件頁數(shù): 40/60頁
文件大?。?/td> 585K
代理商: IS42S16800B
ISSI
40
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
05/01/06
IS42S81600B, IS42S16800B
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
WRITE
D
IN
n
(DATA)
BANK,
COL n
DON'T CARE
(ADDRESS)
BURST
TERMINATE
NEXT
COMMAND
WRITE Burst Termination
DON'T CARE
CLK
DQM
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
BANK a,
COL n
BANK a,
ROW
BANK
(a or all)
t
DPL
t
RP
PRECHARGE
D
IN
n
D
IN
n+1
WP2 - WRITE to PRECHARGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S16800B-6T 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800B-6TL 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800B-6TLI 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800B-75ETL 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800B-7T 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S16800B-6T 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B-6TL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B-6TLI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800B-6TL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B-6T-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube