參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S16160B-6T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述： 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 15/62頁(yè)
文件大?。?/td> 646K
代理商： IS42S16160B-6T
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00E
05/25/06
15
ISSI
IS42S83200B, IS42S16160B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
MAX
V
DDQ
V
IN
V
OUT
P
D
MAX
I
CS
T
OPR
Maximum Supply Voltage
Maximum Supply Voltage for Output Buffer
Input Voltage
Output Voltage
Allowable Power Dissipation
Output Shorted Current
Operating Temperature
–0.5 to +4.6
–0.5 to +4.6
–0.5 to V
DD
+ 0.5
–1.0 to V
DDQ
+ 0.5
1
50
0 to +70
–40 to +85
–65 to +150
V
V
V
V
W
mA
°C
MAX
Com.
Ind.
T
STG
Storage Temperature
°C
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
V
DDQ
V
IH
(1)
V
IL
(2)
Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
3.0
3.0
2.0
-1.2
3.3
3.3
—
—
3.6
3.6
V
V
V
V
V
DDQ
+ 1.2
+0.8
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
(At T
A
= 0 to +25°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3 ± 0.3V)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
C
IN1
C
IN2
CI/O
Input Capacitance: CLK
Input Capacitance:All other input pins
Data Input/Output Capacitance: DQS
2.5
2.5
4.0
3.5
3.8
6.0
pF
pF
pF
Note:
1. V
IH
(max) = V
DDQ
+1.2V (
PULSE
WIDTH
< 3
NS
).
2. V
IL
(min) = -1.2V (
PULSE
WIDTH
< 3
NS
).
3. All voltages are referenced to Vss.
Notes:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to
the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other condi-
tions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. All voltages are referenced to Vss.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S16160B-6TL 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160B-7B 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160B-7BI 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160B-7BL 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16160B-7BLI 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S16160B-6TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 16Mx16 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16160B-6TLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16160B-6TLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16160B-6TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 16Mx16 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16160B-6T-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 16Mx16 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*