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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S16100C1-5T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 8/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 755K |
| 代理商： | IS42S16100C1-5T |
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IS42S16100C1
ISSI
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
07/21/04
COMMANDS
CLK
CKE
HIGH
ROW
ROW
BANK 1
BANK 0
CS
RAS
CAS
WE
A0-A9
A10
A11
CLK
CKE
HIGH
COLUMN
BANK 1
AUTO PRECHARGE
NO PRECHARGE
BANK 0
CS
RAS
CAS
WE
A0-A9
A10
A11
(1)
CLK
CKE
HIGH
COLUMN
AUTO PRECHARGE
BANK 1
BANK 0
CS
RAS
CAS
WE
A0-A9
A10
A11
CLK
CKE
HIGH
BANK 1
BANK 0 AND BANK 1
BANK 0 OR BANK 1
NO PRECHARGE
BANK 0
CS
RAS
CAS
WE
A0-A9
A10
A11
(1)
Notes:
1. A8-A9 = Don’t Care.
Don't Care
Active Command Read Command
Write Command
Precharge Command
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IS42S16100C1-5TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 200Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-5T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 200Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-6T | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16100C1-6TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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