參數(shù)資料
型號： IS41LV16256-60TI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述： 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40
封裝： 0.400 INCH, MS-24, TSOP2-40/44
文件頁數(shù)： 6/19頁
文件大小： 153K
代理商： IS41LV16256-60TI
6
Integrated Silicon Solution, Inc.
—
1-800-379-4774
Rev. J
06/29/00
IS41C16256
IS41LV16256
ISSI
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1)
(Recommended Operation Conditions unless otherwise noted.)
Symbol
Parameter
Test Condition
Any input 0V
≤
V
IN
≤
Vcc
Other inputs not under test = 0V
Speed
Min.
Max.
Unit
I
IL
Input Leakage Current
–
10
10
μA
I
IO
Output Leakage Current
Output is disabled (Hi-Z)
0V
≤
V
OUT
≤
Vcc
I
OH
=
–
2.5 mA
–
10
10
μA
V
OH
Output High Voltage Level
2.4
—
V
V
OL
Output Low Voltage Level
I
OL
= +2.1 mA
RAS
,
LCAS
,
UCAS
≥
V
IH
—
0.4
V
I
CC
1
Stand-by Current: TTL
Commercial
Industrial
Commercial
Industrial
5V
5V
3V
3V
—
—
—
—
3
4
2
3
mA
I
CC
2
Stand-by Current: CMOS
RAS
,
LCAS
,
UCAS
≥
V
CC
–
0.2V
5V
3V
—
—
2
1
mA
I
CC
3
Operating Current:
Random Read/Write
(2,3,4)
Average Power Supply Current
RAS
,
LCAS
,
UCAS
,
Address Cycling, t
RC
= t
RC
(min.)
-35
-50
-60
—
—
—
230
180
170
mA
I
CC
4
Operating Current:
EDO Page Mode
(2,3,4)
Average Power Supply Current
RAS
= V
IL
,
LCAS
,
UCAS
,
Cycling t
PC
= t
PC
(min.)
-35
-50
-60
—
—
—
220
170
160
mA
I
CC
5
Refresh Current:
RAS
-Only
(2,3)
Average Power Supply Current
RAS
Cycling,
LCAS
,
UCAS
≥
V
IH
t
RC
= t
RC
(min.)
-35
-50
-60
—
—
—
230
180
170
mA
I
CC
6
Refresh Current:
CBR
(2,3,5)
Average Power Supply Current
RAS
,
LCAS
,
UCAS
Cycling
t
RC
= t
RC
(min.)
-35
-50
-60
—
—
—
230
180
170
mA
Notes:
1. An initial pause of 200 μs is required after power-up followed by eight
RAS
refresh cycles (
RAS
-Only or CBR) before proper device
operation is assured. The eight
RAS
cycles wake-up should be repeated any time the t
REF
refresh requirement is exceeded.
2. Dependent on cycle rates.
3. Specified values are obtained with minimum cycle time and the output open.
4. Column-address is changed once each EDO page cycle.
5. Enables on-chip refresh and address counters.
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PDF描述
IS41LV16256 256K x 16 DRAM With EDO Page Mode(3.3V,256K x 16 帶擴展數(shù)據(jù)輸出頁模式動態(tài)RAM)
IS41LV16257 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C16257 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C16257-35K 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
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IS41LV16256B-35K 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 4M 256Kx16 35ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41LV16256B-35KL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 4M 256Kx16 35ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41LV16256B-35KL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 4M 256Kx16 35ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41LV16256B-35K-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 4M 256Kx16 35ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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