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參數資料
| 型號： | IRSF3021 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH(Vds(50V), Rds(on)=200mohm) |
| 中文描述： | 充分保護功率MOSFET開關（漏源電壓（50V）的Rds（on）\u003d 200mohm） |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | IRSF3021 |
IRSF3021
Minimum Typical Maximum Units
3.0
5.5
155
165
3
TBD
10
TBD
Test Conditions
Vin = 5V, V
DS
= 14V
Vin = 5V, Ids = 2A
I
ds(sd)
T
j(sd)
V
protect
t
I
resp
I
peak
t
Tresp
Current Limit
Over Temperature Shutdown Threshold
Min. Input Voltage for Over-temp function
Current Limit Response Time
Peak Short Circuit Current
Over-Temperature Response Time
8.0
A
°C
V
μs
A
μs
Protection Characteristics
(T
C
= 25 °C unless otherwise specified. Min/Max specifications are for T
C
= -40°C to T
C
= +125°C unless otherwise
specified.)
Notes:
x
When mounted on a 1" square PCB (FR-4 or G10 material). For recommended footprint and soldering techniques, refer
to International Rectifier Application Note AN-994.
y
E
AS
is tested with a constant current source of 6A applied for 700μS with V
in
= 0V and starting T
j
= 25°C.
z
Input current must be limited to less than 5mA with a 1k
resistor in series with the input when the Body-Drain Diode
is forward biased.
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRSF3031 | FULLY PROTECTED DMOS POWER SWITCH(Vds=50V, Rds(on)=200mohm) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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