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參數(shù)資料
| 型號： | IRS21271PbF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (44); Status:   Remarks:   |
| 中文描述： | 電流傳感單通道驅(qū)動 |
| 文件頁數(shù)： | 15/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 372K |
| 代理商： | IRS21271PBF |
www.irf.com
15
IRS212(7, 71, 8, 81)(S)PbF
Max
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
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Temperature (°C)
L
Figure 2
2
A. Logic "0" Input Bias Current vs.
Temperature
Max
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12
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Supply Voltage (V)
Figure 2
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B. Logic "0" Input Bias Current vs.
Voltage
Max
0
1
2
3
4
5
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-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (°C)
L
Figure 2
3
A. Logic "1" CS Bias Current vs.
Temperature
Max
0
1
2
3
4
5
6
10
12
14
16
18
20
Supply Voltage (V)
L
o
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i
c
1
"
S
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a
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u
r
r
e
n
t
μ
A
)
Figure 2
3
B. Logic "1" CS Bias Current vs.
Voltage
L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRS21271SPbF | Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TSOPII (44); Status:   Remarks:   |
| IRS2127PbF | CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER |
| IRS2127SPbF | Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TSOPII (44); Status:   Remarks:   |
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| IRS2127STRPBF | 功能描述:功率驅(qū)動器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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