參數(shù)資料
型號(hào): IRLZ34NLPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035ヘ , ID = 30A )
中文描述: HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 55V的,的RDS(on)\u003d 0.035ヘ,身份證\u003d 30A條)
文件頁(yè)數(shù): 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 304K
代理商: IRLZ34NLPBF
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLZ34NSPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035ヘ , ID = 30A )
IRLZ44NSPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLZ44SPBF HEXFET Power MOSFET
IRMCF312 Dual Channel Sensorless PM Motor Control IC MCETM(Motion Control Engine) based sinusoidal sensorless control
IRMCF371 Sensorless Motor Control IC for Appliances
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLZ34NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLZ34NS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLZ34NSL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET?? Power MOSFET
IRLZ34NSPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLZ34NSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes