- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360971 > IRLZ34 (NXP Semiconductors N.V.) N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRLZ34 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | N溝道增強型晶體管邏輯電平TrenchMOS |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | IRLZ34 |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
Logic level TrenchMOS
TM
transistor
IRLZ34N
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL PARAMETER
W
DSS
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 20 A; V
≤
25 V; V
GS
= 5 V;
R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
MAX.
45
UNIT
mJ
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
10
100
1
10
100
1000
tp =
1 us
10us
100 us
1 ms
10ms
100ms
ID/A
VDS/V
RDS(ON) = VDS/ID
DC
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.0E-06
0.0001
0.01
t/s
1
100
0.01
0.1
1
10ZTH/ (K/W)
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
February 1999
3
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLZ34N | N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor |
| IRLZ34NL | HEXFET Power MOSFET |
| IRLZ34 | HEXFET POWER MOSFET |
| IRLZ34NS | HEXFET Power MOSFET |
| IRM3000 | Optoelectronic |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRLZ34_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLZ34A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
| IRLZ34L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLZ34LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLZ34N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。