- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360969 > IRLW640A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRLW640A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 18A條（丁）|對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 346K |
| 代理商： | IRLW640A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLIZ14A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262AA |
| IRLW14A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
| IRLIZ24A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRLIZ44A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262AA |
| IRLW24A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLW640ATM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLWI510A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLWI520A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLWI530A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLWI540A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。