參數(shù)資料
型號： IRLU7833
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： IRLU7833
www.irf.com
7
Fig 15.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
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Fig 16.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
相關PDF資料
PDF描述
IRLR7843PBF HEXFET Power MOSFET
IRLU7843PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR7843 HEXFET Power MOSFET
IRLU7843 HEXFET Power MOSFET
IRLR8103V N-Channel Application-Specific MOSFETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRLU7833-701PBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLU7833PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 140A 4.5mOhm 38nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU7833TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 140A, 4.5 mOhm, 38 nC Qg, Logic Level, I-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU7833TRR701P 功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 140A, 4.5 mOhm, 38 nC Qg, Logic Level, IPAK-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU7843 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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