參數(shù)資料
型號： IRLU3714Z
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 270K
代理商： IRLU3714Z
2
www.irf.com
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
20
–––
–––
–––
1.65
–––
–––
–––
–––
–––
21
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
14
–––
12
15
20
25
2.1
2.55
-5.2
–––
–––
1.0
–––
150
–––
100
–––
-100
–––
–––
4.7
7.1
1.7
–––
0.7
–––
1.7
–––
0.6
–––
2.4
–––
2.6
–––
5.4
–––
7.6
–––
9.2
–––
4.3
–––
560
–––
180
–––
95
–––
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
See Fig. 16
nC
ns
pF
Parameter
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
37
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
I
SM
–––
–––
144
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
21
8.5
1.0
32
13
V
ns
nC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V, I
D
= 12A
Conditions
3.5
Max.
31
12
= 1.0MHz
I
D
= 12A
Clamped Inductive Load
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
T
J
= 25°C, I
F
= 12A, V
DD
= 10V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
MOSFET symbol
–––
Typ.
–––
–––
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU3714ZPBF HEXFET Power MOSFET
IRLR3715TR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 54A I(D) | TO-252AA
IRLR3715 SMPS MOSFET
IRLU3715 SMPS MOSFET
IRLR3715TRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 54A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLU3714ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 37A 15mOhm 4.7nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU3715 功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLU3715PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU3715Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLU3715ZCPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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