參數(shù)資料
型號(hào)： IRLU3105PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大小： 319K
代理商： IRLU3105PBF
2
www.irf.com
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 15A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 15A, V
DD
= 28V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
52
82
1.3
78
120
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
25
100
When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Notes
through
are on page 11
Parameter
Min. Typ. Max. Units
55
–––
–––
0.056 –––
–––
30
–––
35
1.0
–––
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.0
–––
57
–––
25
–––
37
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 5.0V, I
D
= 13A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 15A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 15A
V
DS
= 44V
V
GS
= 5.0V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 28V
I
D
= 15A
R
G
= 24
V
GS
= 5.0V, See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 44V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
37
43
3.0
–––
20
250
200
-200
20
5.6
9.0
–––
–––
–––
–––
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
710
150
28
890
110
210
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR3105 AUTOMOTIVE MOSFET
IRLU3105 AUTOMOTIVE MOSFET
IRLR3705Z Specifically designed for Automotive applications,this HEXFET Power MOSFET
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IRLR3714PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 20mヘ , ID = 36A )
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參數(shù)描述
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IRLU3114ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 130A 4.9mOhm 40nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU3303 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLU3303PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 17.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU3410 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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