參數(shù)資料
型號： IRLU2905ZPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 277K
代理商： IRLU2905ZPBF
2
www.irf.com
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
55
–––
–––
–––
–––
1.0
25
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.053
–––
11
13.5
–––
20
–––
22.5
–––
3.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
23
35
8.5
–––
12
–––
14
–––
130
–––
24
–––
33
–––
4.5
–––
V
V/°C
m
m
m
V
S
μA
V
GS(th)
gfs
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
Between lead,
nH
6mm (0.25in.)
from package
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 44V
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1570
230
130
840
180
290
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
42
A
–––
–––
240
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
22
14
1.3
33
21
V
ns
nC
V
GS
= 5.0V, I
D
= 30A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 15A
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 36A
V
DS
= 44V
V
GS
= 5.0V
V
DD
= 28V
I
D
= 36A
R
G
= 15
Conditions
V
GS
= 5.0V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 36A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 36A, V
DD
= 28V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 36A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 36A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR2905Z AUTOMOTIVE MOSFET
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IRLR2908PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRLR3103 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLU2908 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRLU2908PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 80V, 39A, 28 MOHM, 22 NC QG, LOGIC LEVEL, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 39A 3PIN IPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 80V 39A I-PAK
IRLU3103 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLU3103PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 46A 19mOhm 33.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU3105 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
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