參數(shù)資料
型號: IRLU120
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述: HEXFET功率MOSFET(馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管)
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 178K
代理商: IRLU120
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR2705PBF HEXFET Power MOSFET
IRLU2705PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR2905PBF HEXFET Power MOSFET
IRLU2905PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR2905ZPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLU120A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-251AA
IRLU120ATU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU120N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC I-PAK
IRLU120NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK
IRLU120NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube