- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377536 > IRLU110 (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRLU110 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 175K |
| 代理商： | IRLU110 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR110 | POWER MOSFET |
| IRLU7807Z | HEXFET Power MOSFET |
| IRLR7807Z | HEXFET Power MOSFET |
| IRLZ34NLPBF | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035ヘ , ID = 30A ) |
| IRLZ34NSPBF | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035ヘ , ID = 30A ) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLU110A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLU110ATU | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLU110PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLU111 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-251 |
| IRLU120 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 7.7A 3PIN IPAK - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。