參數(shù)資料
型號(hào)： IRLS520A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 7.2 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 258K
代理商： IRLS520A
IRLS520A
100
--
1.0
--
--
--
--
--
0.1
--
--
--
--
--
90
39
5
10
19
9
10.2
1.7
6.0
--
--
2.0
100
-100
10
100
0.22
--
440
115
50
20
30
50
30
15
--
--
7.7
340
--
--
--
98
0.34
9.2
32
1.5
--
--
Notes ;
①
Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
②
L=3mH, I
=7.2A, V
=25V, R
G
=27
, Starting T
=25
°
C
③
I
SD
< 9.2A, di/dt < 300A/
μ
s, V
DD
< BV
DSS
, Starting T
J
=25
°
C
④
Pulse Test : Pulse Width = 250
μ
s, Duty Cycle < 2%
⑤
Essentially Independent of Operating Temperature
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Electrical Characteristics
(T
C
=25
°
C unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Characteristic
Symbol
BV
DSS
Δ
BV/
Δ
T
J
V
GS(th)
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain(“Miller”) Charge
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
V/
℃
V
nA
μ
A
S
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0V,I
D
=250
μ
A
I
D
=250
μ
A
See Fig 7
V
DS
=V
GS
, I
D
=250
μ
A
V
GS
=20V
V
GS
=-20V
V
DS
=100V
V
DS
=80V,T
C
=150
°
C
V
GS
=5V,I
D
=3.6A
④
V
DS
=40V,I
D
=3.6A
④
V
DD
=50V,I
D
=9.2A,
R
G
=9
See Fig 13
④ ⑤
V
DS
=80V,V
GS
=5V,
I
D
=9.2A
See Fig 6 & Fig 12
④ ⑤
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f =1MHz
See Fig 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
①
Diode Forward Voltage
④
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
--
--
--
--
--
A
V
ns
μ
C
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
T
J
=25
°
C
,I
S
=7.2A,V
GS
=0V
T
J
=25
°
C
,I
F
=7.2A
di
F
/dt=100A/
μ
s
④
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLW640 ADVANCED POWER MOSFET
IRLWI640A Advanced Power MOSFET
IS604 AC Input Phototransistor Optically Coupled Isolators(AC輸入，晶體管輸出的光耦合/隔離器)
IS605 Photo Coupled Isolator GaAs Infrared Emitting Diode & Light Activated SCR(正向峰值電壓400V的光耦合/隔離器（由GaAs紅外發(fā)光二極管+光活性硅控整流器組成）)
IS606 Photo Coupled Isolator GaAs Infrared Emitting Diode & Light Activated SCR(正向峰值電壓625V的光耦合/隔離器（由GaAs紅外發(fā)光二極管+光活性硅控整流器組成）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRLS530A 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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