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參數(shù)資料
| 型號： | IRLRU120N |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.185ohm，身份證\u003d 10A條） |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | IRLRU120N |
IRLR/U120N
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
200
400
600
800
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
V
G
V = 80V
V = 50V
V = 20V
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 6.0A
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T = 25°C
V = 0V
GS
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU120N | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) |
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| IRLRU3410 | Logic Level Gate Drive / Fully Avalanche Rated |
| IRLU110 | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管) |
| IRLR110 | POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLRU130A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLRU210A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLRU220A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLRU230A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRLRU2905 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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