參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR8743PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 380K
代理商： IRLR8743PBF
2
www.irf.com
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
89
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
20
–––
2.4
3.1
3.0
3.9
1.9
2.35
-6.4
–––
–––
1.0
–––
150
–––
100
–––
-100
–––
–––
39
59
10
–––
3.9
–––
13
–––
12
–––
17
–––
21
–––
0.85
1.5
19
–––
35
–––
21
–––
17
–––
4880
–––
950
–––
470
–––
V
mV/°C
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
See Fig. 16
nC
Parameter
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
160
–––
–––
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
18
32
1.0
27
48
V
ns
nC
MOSFET symbol
–––
V
GS
= 4.5V
I
D
= 20A
Typ.
–––
–––
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
R
G
= 1.8
See Fig. 14
T
J
= 25°C, I
F
= 20A, V
DD
= 15V
di/dt = 300A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 20A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
V
DS
= 15V, I
D
= 20A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 20A
V
DS
= 15V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 25A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 20A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
Conditions
13.5
Max.
250
20
m
640
μA
nA
ns
pF
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU8743PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLRU120N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
IRLU120N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
IRLR120N HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRLRU3410 Logic Level Gate Drive / Fully Avalanche Rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR8743TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR8743TRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR9343 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DIGITAL AUDIO MOSFET
IRLR9343-701PBF 功能描述:MOSFET P-CH 55V 20A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR9343PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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