參數(shù)資料
型號： IRLR8713PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 343K
代理商： IRLR8713PBF
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min. Typ. Max. Units
25
–––
–––
16
–––
3.8
–––
5.0
1.35
1.85
–––
-7.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
79
–––
–––
17.4
–––
4.0
–––
2.2
–––
5.8
–––
5.4
–––
8.0
–––
8.6
–––
0.9
–––
14
–––
24
–––
12
–––
5.9
–––
2240
–––
580
–––
270
–––
–––
4.8
6.3
2.35
–––
1.0
150
100
-100
–––
26
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
See Fig.16
nC
ns
pF
Parameter
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Min. Typ. Max. Units
–––
–––
100
A
–––
–––
410
–––
–––
–––
16
1.0
24
V
ns
–––
15
23
nC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 13V, I
D
= 17A
Conditions
8.1
Max.
190
17
= 1.0MHz
I
D
= 17A
Clamped Inductive Load
V
DS
= 13V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 17A
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 21A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 17A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 13V, V
GS
= 4.5V
T
J
= 25°C, I
F
= 17A, V
DD
= 13V
di/dt = 300A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 17A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
MOSFET symbol
–––
Typ.
–––
–––
V
GS
= 0V
V
DS
= 13V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU8713PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR8743PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLU8743PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLRU120N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
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IRLR8721TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 65A 8.5nC 8.4mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR8726PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR8726PBF_09 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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