參數資料
型號： IRLR7811WPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 3/10頁
文件大小： 195K
代理商： IRLR7811WPBF
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1.00
10.00
100.00
1000.00
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
-60
-40
-20
T , Junction Temperature
0
20
40
60
80
100
120
( C)
140
160
180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
64A
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
2.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
TOP VGS
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
2.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP 10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
相關PDF資料
PDF描述
IRLR7811W SMPS MOSFET
IRLR7821 HEXFET Power MOSFET
IRLU7821 HEXFET Power MOSFET
IRLR7833PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4.5mヘ , Qg = 33nC )
IRLU7833PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4.5mヘ , Qg = 33nC )
相關代理商/技術參數
參數描述
IRLR7811WTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 64A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRLR7821 功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7821CPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR7821CTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR7821CTRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*