參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR7811W
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 103K
代理商： IRLR7811W
IRLR7811W
2
www.irf.com
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
140
12
7.1
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
=12A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
30
27
1.2
45
41
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
64
260
A
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 27 –––
m
V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
–––
V
GS(th)
/
T
J
Gate Threshold Voltage Coefficient
–––
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
g
fs
Forward Transconductance
58
Q
g
Total Gate Charge Control Fet
––– 21 31 nC
Q
gs1
Pre-Vth Gate-Source Charge
–––
Q
gs2
Post-Vth Gate-Source Charge
–––
Q
gd
Gate-to-Drain Charge
–––
Q
godr
Gate Charge Overdrive
–––
Q
sw
Switch Charge (Q
gs2
+
Q
gd
)
–––
Q
g
Total Gate Charge Sync Fet
–––
Q
oss
Output Charge
–––
R
g
Gate Resistance
–––
t
d(on)
Turn-On Delay Time
–––
t
r
Rise Time
–––
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
–––
t
f
Fall Time
–––
C
iss
Input Capacitance
–––
C
oss
Output Capacitance
–––
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
–––
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
ns
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min. Typ. Max. Units
30
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
6.5
7.5
1.5
-5.0
–––
–––
–––
–––
–––
10
12
2.5
––– mV/°C
30
150
100
-100
–––
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
V
DS
= 15V, I
D
= 12A
nA
S
5.0
1.7
6.6
5.5
8.3
17
10
1.6
18
4.8
11
23
2260 –––
420
180
–––
–––
–––
–––
–––
V
DS
= 20V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
nC
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 16V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
Clamped Inductive Load
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
–––
–––
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR7821 HEXFET Power MOSFET
IRLU7821 HEXFET Power MOSFET
IRLR7833PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4.5mヘ , Qg = 33nC )
IRLU7833PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4.5mヘ , Qg = 33nC )
IRLR7833 Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR7811WCPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7811WCTRLP 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7811WCTRRP 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7811WHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 64A 3PIN DPAK - Bulk
IRLR7811WPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*