型號: | IRLR7807ZPBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET Power MOSFET |
中文描述: | HEXFET功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 6/11頁 |
文件大小: | 275K |
代理商: | IRLR7807ZPBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IRLU7807ZPbF | HEXFET Power MOSFET |
IRLR7811WCPBF | SMPS MOSFET |
IRLR7821PBF | Replacement for Texas Instruments part number SN74LS161AN. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics. |
IRLU7821PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
IRLR8113 | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IRLR7807ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 43A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRLR7807ZTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 43A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
IRLR7807ZTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 43A 13.8mOhm 30V 7nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRLR7807ZTRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRLR7807ZTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 43A 3PIN DPAK - Tape and Reel |